聯(lián)電回應(yīng)“赴日本建設(shè)新晶圓廠”傳聞：并無此事

2 月 19 日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)工商時(shí)報(bào)報(bào)道，聯(lián)電就“考慮投資 5000 億日元（當(dāng)前約 256 億元人民幣）在日本三重縣現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)建設(shè)一座新的晶圓廠”的消息回應(yīng)稱，并無此事。

聯(lián)電 2019 年全資收購富士通半導(dǎo)體旗下位于日本三重縣桑名市的 12 寸晶圓廠并成立 USJC 子公司。2022 年 4 月，聯(lián)電宣布與日本電裝（DENSO）合作，在日本 USJC 廠內(nèi)建設(shè)第一條 12 寸晶圓生產(chǎn)線。

臺(tái)媒指出，目前大多數(shù) IGBT 都是以 8 寸晶圓生產(chǎn)，雖然 2022 年下半年來 8 寸晶圓產(chǎn)能供給過剩，但中長期來看因產(chǎn)能難以擴(kuò)充，市況好轉(zhuǎn)及需求復(fù)蘇后仍面臨產(chǎn)能不足問題。

法人表示，過去以 8 寸或 6 寸晶圓生產(chǎn)的功率半導(dǎo)體，近年開始轉(zhuǎn)以 12 寸晶圓生產(chǎn)但難度更高，聯(lián)電與 DENSO 合作如果成功，將提供有效產(chǎn)能滿足車用芯片長期需求。

聯(lián)電 2023 年 1 月營收滑落至 195.9 億新臺(tái)幣（當(dāng)前約 44.27 億元人民幣），環(huán)比減少 6.47%，同比減少 4.31%，創(chuàng) 15 個(gè)月來新低。