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高通未來仍可能改用三星3nm用于SoC,取決于良品率和產(chǎn)能狀況

2022-06-29 來源:網(wǎng)絡(luò)整理
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關(guān)鍵詞: 三星 高通

隨著高通推出Snapdragon 8 Gen1 Plus,代工廠轉(zhuǎn)為臺積電(TSMC)以后,許多人猜測雙方的關(guān)系可能會因高通的訂單削減而疏遠。不過隨著三星3nm GAA工藝即將量產(chǎn),似乎雙方之間的業(yè)務(wù)又出現(xiàn)了新的轉(zhuǎn)機。


據(jù)The Elec報道,三星3nm GAA工藝的首個客戶是上海磐矽半導(dǎo)體,而高通也對該工藝流程進行了預(yù)訂,以便隨時采用。三星在3nm制程節(jié)點引入了全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管工藝,與現(xiàn)有的FinFET相比,允許更精確地控制電流,且柵極寬度更窄,可實現(xiàn)30%的性能提升、50%的功耗降低、以及減少45%的面積。


高通轉(zhuǎn)投臺積電的原因不難理解,由于三星4nm工藝的良品率僅為35%左右,與臺積電超過70%的良品率相比差太多,同時臺積電的4nm工藝也更省電,高通出于性能與穩(wěn)定供貨的考慮,更換了代工廠。雖然高通很可能會在Snapdragon 8 Gen2上繼續(xù)選用臺積電,未來也會進一步采用臺積電的3nm工藝,但現(xiàn)階段先進半導(dǎo)體工藝有著較高的不確定性,讓高通需要保留備份方案。


作為臺積電的第一大客戶,蘋果占據(jù)了臺積電相當(dāng)大部分的3nm產(chǎn)能。同時臺積電的3nm工藝在生產(chǎn)上稍微落后于三星,良品率問題同樣值得關(guān)注。據(jù)稱高通也在觀察三星3nm工藝的情況,若臺積電方面遇到問題,可能就會根據(jù)三星的進展改變策略。



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