JSM2003STR250V單相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片
在電力電子領(lǐng)域，功率驅(qū)動芯片猶如 “神經(jīng)中樞”，直接決定著功率器件的開關(guān)效率、系統(tǒng)穩(wěn)定性與安全可靠性。隨著電機控制、智能家電、逆變器等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅茯?qū)動芯片的需求激增，一款能兼容經(jīng)典型號、且在性能上實現(xiàn)突破的驅(qū)動芯片，成為工程師們的迫切需求。
杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片，不僅完美替代 TF2003M、IRS2003 等經(jīng)典型號，更在可靠性、效率與適配性上實現(xiàn)全面升級，為工業(yè)與消費電子領(lǐng)域提供了更優(yōu)解。
