JSM2003STR250V單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片
在電力電子領域，功率驅動芯片猶如 “神經中樞”，直接決定著功率器件的開關效率、系統穩定性與安全可靠性。隨著電機控制、智能家電、逆變器等領域對高性能驅動芯片的需求激增，一款能兼容經典型號、且在性能上實現突破的驅動芯片，成為工程師們的迫切需求。
杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半導體領域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片，不僅完美替代 TF2003M、IRS2003 等經典型號，更在可靠性、效率與適配性上實現全面升級，為工業與消費電子領域提供了更優解。
