光芯片IDM廠源杰科技擬赴科創板 募資9.8億元擴產 近年迎爆發式增長

1月14日訊，光芯片提供商陜西源杰半導體科技股份有限公司（下稱“源杰科技”）日前提交了赴科創板IPO的申報材料。據招股書，源杰科技的光芯片設計生產采用IDM模式，業務覆蓋晶圓外延等光芯片核心環節，具備一定高速率光芯片量產能力。

值得注意的是，多種跡象表明，2020年源杰科技獲得了疑為來自華為的訂單，并正式進入后者光芯片供應鏈。由此，疊加該年5G政策推動和下游行業高景氣，2020年公司歸母凈利潤同比暴漲近6倍，而營收也從2019年的8000余萬元，到一年后突破2.3億元。

有分析人士指出，華為在2020年對源杰科技的戰略投資，對于促進光模塊廠商采用源杰的產品有一定的推動作用。不過進入2021年以來，國內5G基站建設放緩等因素，共同使得源杰科技2021年上半年綜合毛利率下滑近10%，公司業績增長持續性有待觀望。

晶圓外延為光芯片核心環節

源杰科技主要產品包括2.5G、10G和25G及更高速率激光器芯片系列產品等，目前主要應用于光纖接入、4G/5G移動通信網絡和數據中心等領域。

據了解，當前中國光通信行業在起步階段，僅實現10G及以下的光通信芯片的規模量產及應用，10G以上的高速芯片仍依賴進口。其中，25G激光器芯片僅有光訊科技等少部分廠商實現批量發貨；25G以上速率激光器芯片，大部分廠商仍在研發或小規模試產階段。

國內高端光芯片發展受限的環節在于核心的外延技術等環節。國內的光芯片生產商普遍具有除晶圓外延環節之外的后端加工能力，而所需高端外延片主要向國際外延廠進行采購。

創道咨詢合伙人步日欣接受記者采訪表示，光通信激光器芯片，屬于化合物半導體芯片的范疇，與數字芯片追求高工藝制程不同，化合物半導體芯片更注重工藝環節的Know how，其中外延和長膜的工藝控制尤為重要。“這方面的技術還是希望掌握在芯片設計公司手里，所以IDM模式是業內較為普遍的模式。”

從核心技術來看，源杰科技掌握的也是晶圓外延、晶圓工藝等類別的相關技術，握有12項可形成主營業務收入的發明專利。招股書顯示，源杰科技擁有多條覆蓋MOCVD外延生長、光柵工藝、光波導制作、金屬化工藝、端面鍍膜、自動化芯片測試、芯片高頻測試、可靠性測試驗證等全流程自主可控的生產線，具備芯片設計、晶圓制造、芯片加工和測試等的IDM業務體系。

此次赴科創板IPO，源杰科技擬募資9.8億元，其中5.7億將用于10G、25G光芯片產線建設項目，1.2億、1.4億將分別用于50G光芯片產業化建設項目以及研發中心建設項目，1.5億用于補流。