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意法半導(dǎo)體推出全新G-HEMT系列GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

2022-01-12 來源:中電網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 意法半導(dǎo)體 G-HEMT GaN功率半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體(ST)昨日宣布G-HEMT系列首款GaN 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品(PowerGaN),能大幅降低各種電子產(chǎn)品的能量消耗并縮小尺寸;可用于充電器、PC 外接電源適配器、LED 照明驅(qū)動(dòng)器、電視機(jī)等。不僅如此,該產(chǎn)品亦能用于高功率市場(chǎng),像是工業(yè)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、太陽能逆變器、電動(dòng)汽車及充電器等。



ST 表示,全球消費(fèi)性電子產(chǎn)品的產(chǎn)量很大,若提升效能便可大幅減少二氧化碳排放。而氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,其電壓耐受能力優(yōu)于傳統(tǒng)硅材料,且不會(huì)影響導(dǎo)通電阻效能,故可降低開關(guān)損耗。此外,GaN 產(chǎn)品的開關(guān)效能也比傳統(tǒng)的硅基產(chǎn)品的效能高,開關(guān)頻率也可以更高,故應(yīng)用電路可采用尺寸更小的被動(dòng)元件。


ST 指出,上述所有優(yōu)勢(shì)讓設(shè)計(jì)人員得以減少功率轉(zhuǎn)換器的總損耗(減少產(chǎn)生的熱)并提升效能。因此,GaN 可讓電子產(chǎn)品小型化,例如,采用GaN 的PC 電源適配器比當(dāng)今普及的充電器尺寸更小而且重量更輕。根據(jù)相關(guān)廠商的預(yù)測(cè),使用GaN 元件后,標(biāo)準(zhǔn)的手機(jī)充電器可縮小高達(dá)40%,或于相同尺寸條件下可以輸出更高的功率。


為此,ST 推出新G-HEMT 產(chǎn)品家族首款產(chǎn)品(650V SGT120R65A),其具有120m? 最大導(dǎo)通電阻(Rds(on))、15A 的最大輸出電流和優(yōu)化閘極驅(qū)動(dòng)的開爾文接法腳位。


意法半導(dǎo)體汽車和離散元件產(chǎn)品部副總裁暨功率電晶體事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo Merli 表示,商用GaN 產(chǎn)品是功率半導(dǎo)體的下一個(gè)戰(zhàn)場(chǎng),而ST 推出隸屬STPOWER 產(chǎn)品組合之新系列的首款產(chǎn)品,為消費(fèi)、工業(yè)和汽車電源應(yīng)用帶來突破性的效能表現(xiàn)。未來ST 將逐步擴(kuò)大PowerGaN 產(chǎn)品組合,讓全球客戶都能設(shè)計(jì)出更高效、更小巧的電源。



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