臺(tái)積電正式提出中科擴(kuò)建廠計(jì)劃

28日訊，據(jù)了解，在臺(tái)中市，臺(tái)積電已鎖定中科園區(qū)旁臺(tái)中高爾夫球場(chǎng)用地，設(shè)廠面積近100公頃，總投資金額達(dá)8000億至1萬億元，這是臺(tái)積電中科擴(kuò)建廠計(jì)劃首度對(duì)外透露總投資金額。

臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，以1萬億元的投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判，臺(tái)積電在中科除了規(guī)劃2納米廠，后續(xù)的1納米廠也將落腳此處。

目前臺(tái)積電在中科的制程涵蓋28納米及7納米，由于2納米及1納米制程的設(shè)備可以共用，業(yè)界推測(cè)未來將采漸進(jìn)式由1.8納米、1.4納米，逐步向1納米推進(jìn)。

業(yè)界預(yù)期，未來中科可望成臺(tái)積電全球最先進(jìn)制程的制造中心，對(duì)臺(tái)積電在與三星競(jìng)爭(zhēng)之路上扮演極為關(guān)鍵的角色。中科今年?duì)I業(yè)額可望突破萬億元大關(guān)，如今再加碼投資，臺(tái)中成為新的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)。