英諾賽科成功導(dǎo)入ASML光刻機，進一步提升產(chǎn)能和產(chǎn)線良率

2021年12月8日，英諾賽科（珠海）科技有限公司為ASML光刻機成功導(dǎo)入8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線舉辦了慶典。英諾賽科于2021年引入ASML光刻機，憑借著其卓越的成像性能和獨特的TWINSCAN架構(gòu)（雙晶圓工件平臺），英諾賽科進一步提升了硅基氮化鎵功率器件制造的產(chǎn)能及產(chǎn)線良率。此次慶典上，ASML副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理沈波代表ASML被英諾賽科授予“最佳戰(zhàn)略合作伙伴”稱號。

近年來，相較傳統(tǒng)硅材料，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 等第三代半導(dǎo)體，以其更小尺寸、更高轉(zhuǎn)換頻率、更高功率密度等特點，逐漸成為了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新焦點。此新材料可滿足節(jié)能、減排、智能制造等全球戰(zhàn)略需求。氮化鎵是“第三代半導(dǎo)體”關(guān)鍵材料之一，具有廣闊的市場前景，可滲透到包括消費、工業(yè)和汽車類電子應(yīng)用領(lǐng)域。作為全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵芯片制造商（IDM），英諾賽科一直致力于推動第三代半導(dǎo)體制造技術(shù)的創(chuàng)新和革命。

英諾賽科首席執(zhí)行官孫在亨表示：“我們在今年第二季度引進了ASML光刻機，改善了光刻工藝窗口，進一步提高了產(chǎn)能和產(chǎn)線良率，帶來了可觀的成本效益。在設(shè)備入駐后，雙方技術(shù)團隊密切合作，通過現(xiàn)場驗證和快速迭代，技術(shù)挑戰(zhàn)迎刃而解，在短短三個月內(nèi)實現(xiàn)試生產(chǎn)，最終在10月進入正式量產(chǎn)階段。通過與半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)跑者ASML的合作，加快了英諾賽科產(chǎn)品推向市場的速度，助力了氮化鎵半導(dǎo)體的蓬勃發(fā)展?！?/p>

這是一次重大突破，ASML光刻機首次進入8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線。為了給英諾賽科提供更有力的支持，ASML始終根據(jù)其制造需求不斷升級光刻設(shè)備ASML光刻機的順利入駐將持續(xù)助力英諾賽科的大規(guī)模量產(chǎn)，為其長期發(fā)展保駕護航。

“我們很榮幸能成為英諾賽科的合作伙伴，并為此次得獎感到自豪。英諾賽科的蓬勃發(fā)展反映了第三代半導(dǎo)體近年來的突飛猛進和長期的發(fā)展?jié)摿Α鄙虿ㄕf，“ASML一直致力于以領(lǐng)先的光刻技術(shù)為客戶提供不懈的支持和服務(wù)，以推動整個半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。我們將繼續(xù)為英諾賽科的持續(xù)發(fā)展提供先進的技術(shù)和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)?！?/p>

ASML 深紫外光刻業(yè)務(wù)資深副總裁Ron Kool表示：“我們也欣喜地看到ASML TWINSCAN的卓越性能首次在8英寸硅基氮化鎵芯片制造領(lǐng)域得到驗證。我們完全有信心支持英諾賽科未來的持續(xù)增長?！?/p>