臺(tái)積電宣布推出N4P高性能工藝

臺(tái)積電宣布了一個(gè)新的制程工藝節(jié)點(diǎn)“N4P”——看起來(lái)是4nm，但其實(shí)是5nm的又一個(gè)版本，確切地說(shuō)是N5、N5P、N4之后的第四個(gè)版本、第三個(gè)升級(jí)版，注重高性能。

臺(tái)積電稱，N4P工藝相比最初的N5工藝可提升11％的性能，或者提升22％的能效、6％的晶體管密度，而對(duì)比N4可將性能提升6.6％。

此外，N4P工藝會(huì)重復(fù)使用多層遮罩，因此可大大降低工藝復(fù)雜度，加快晶圓生產(chǎn)速度。

臺(tái)積電稱，N4P工藝是為客戶5nm工藝平臺(tái)產(chǎn)品升級(jí)準(zhǔn)備的，不但可以最大化挖掘投資價(jià)值，還可以更快、更高效地升級(jí)N5工藝產(chǎn)品。

臺(tái)積電表示，第一款基于N4P工藝的產(chǎn)品預(yù)計(jì)2022年下半年流片。

臺(tái)積電此前披露，N3 3nm工藝將在今年內(nèi)風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)，2023年第一季度獲得實(shí)際收入，N3E 2024年量產(chǎn)，N2 2nm 2025年量產(chǎn)。