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華虹半導體90納米BCD工藝平臺投片

2020-05-10 來源:中國電子報
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      華虹半導體有限公司宣布,其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線順利實現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積,將在數(shù)字電源、數(shù)字電機驅(qū)動、數(shù)字音頻功放等芯片領域獲得廣泛應用。

      緊貼電源管理技術高集成度和智能化的發(fā)展趨勢,華虹半導體最新推出了90納米BCD工藝平臺,其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段,其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導通電阻,達到業(yè)界先進水平。為了滿足高集成度發(fā)展趨勢,該工藝平臺亦提供1.5V CMOS選項,具有更高的邏輯門密度,可有效縮減芯片面積。結合較少的生產(chǎn)掩模數(shù),能為客戶提供性價比更優(yōu)的芯片代工方案。同時,該平臺可提供多種器件集成,并配套豐富的數(shù)字單元庫和OTP及MTP嵌入式存儲器選項,增強了設計的集成度和靈活度。在該平臺上,華虹半導體還將繼續(xù)投入研發(fā)資源,提供更豐富的器件類型,并將LDMOS擴展至40V及以上電壓段,覆蓋更廣泛的應用需求。

      此外,華虹半導體持續(xù)8英寸生產(chǎn)線的研發(fā)創(chuàng)新,優(yōu)化升級現(xiàn)有滿足車規(guī)要求的180納米BCD技術,在相同的擊穿電壓下,導通電阻平均降低約25%,技術性能顯著提升,達到業(yè)界先進水平。公司將進一步將180納米BCD技術中的LDMOS的最高電壓由40V擴展至100V,并提供更多電壓段的設計選項,滿足工業(yè)控制及汽車電子領域需求。同時,集成嵌入式閃存模塊的110納米BCD工藝平臺,可達到車規(guī)級應用要求,實現(xiàn)了高智能化控制與電源管理集成的單芯片解決方案。




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