第三代半導(dǎo)體技術(shù)為中國芯片制造商追趕外國同行提供了良機

中國最高行業(yè)監(jiān)管機構(gòu)將重要的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料碳化硅（SiC）納入工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展五年計劃。

專家表示，此舉是工業(yè)和信息化部引導(dǎo)碳基材料發(fā)展以支持芯片創(chuàng)新和發(fā)展的更廣泛努力的一部分。

專家表示，碳基材料可以很好地替代硅基半導(dǎo)體材料，它們是中國旨在實現(xiàn)突破的第三代半導(dǎo)體技術(shù)的重要組成部分。

工信部表示，將碳基材料列入原材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃（2021-25），將碳化硅和碳基復(fù)合材料列入“十四五”產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展規(guī)劃。更大的目標(biāo)是支持行業(yè)攻克技術(shù)壁壘，提升產(chǎn)品質(zhì)量，推動產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化。

東興證券在一份研究報告中表示，在大量自然儲量中發(fā)現(xiàn)的硅已成為制造芯片和設(shè)備的最重要原材料。90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品都是用硅作為基板。

但受限于材料本身的特性，硅基功率器件逐漸無法滿足5G、新能源汽車、高鐵等新興應(yīng)用對大功率高頻器件的需求。

因此，碳化硅有望部分替代硅，成為制備高壓高頻器件的新型襯底材料，東興證券表示。

隨著中國在“后摩爾時代”尋求第三代芯片的突破，碳化硅是第三代半導(dǎo)體技術(shù)的重要材料。1975 年，英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾制定了一個規(guī)則，即硅芯片上的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。但快速的技術(shù)進步可能會使該規(guī)則在未來過時。

5 月，劉鶴副總理出席的政府會議討論了后摩爾時代集成電路或 IC 的潛在顛覆性技術(shù)。

粵凱證券在研報中表示，第三代半導(dǎo)體技術(shù)顯然是重要的發(fā)展方向，其下游應(yīng)用主要集中在5G基站、新能源充電樁、城際高鐵等領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)為中國芯片制造商追趕外國同行提供了良機?；泟P證券補充說，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品主要采用成熟的制造和加工技術(shù)，與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體技術(shù)相比，國內(nèi)制造商面臨的障礙較少。

電信行業(yè)協(xié)會信息消費聯(lián)盟理事長項立剛表示：“第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用的主戰(zhàn)場在中國，但國內(nèi)企業(yè)要解決一個字符串問題還需要很長時間。在廣泛普及這些技術(shù)之前面臨的挑戰(zhàn)。”