業內曝三星 3nm GAA 存在漏電等關鍵技術問題，難與臺積電匹敵

據業內人士透露，三星電子的 3nm GAA 工藝目前仍面臨著漏電等關鍵技術問題，消息人士稱，該工藝在性能和成本方面可能也不如臺積電的 3nm FinFET 工藝。

據《電子時報》報道，上述人士表示，三星可能最早于 2022 年將其 3nm GAA 工藝量產，但由于成本高和性能不理想，可能無法吸引到臺積電 3nm FinFET 工藝所獲得的客戶，后者據稱已經獲得了蘋果和英特爾的訂單。

臺積電有望在 2022 年下半年將其 3nm FinFET 工藝推向量產，CEO 魏哲家在最近的財報會議上表示，“N3 將是我們 N5 的另一個全面擴展，并將采用 FinFET 晶體管結構，為我們的客戶提供最佳的技術成熟度、性能和成本。”

在失去蘋果 iPhone 處理器訂單后，三星在尖端芯片競爭中落后于臺積電。據市場觀察人士稱，從蘋果手中奪回訂單將是這家韓國供應商贏得 3nm 競爭的關鍵。