Digitimes 盤點(diǎn)晶圓廠技術(shù)指標(biāo)，三星 3nm 密度不及英特爾 7nm

供應(yīng)鏈媒體 Digitimes 今日整理了三大晶圓廠以及 IBM 在 10nm、7nm、5nm、3nm、2nm 的技術(shù)指標(biāo)（晶體管密度）演進(jìn)對(duì)比圖。

科普：晶體管密度即芯片上每平方單位晶體管數(shù)，此處對(duì)比的是每平方毫米晶體管數(shù)量。

Digitimes 指出，英特爾此前聲稱臺(tái)積電的 7nm 制程與其 10nm 制程相當(dāng)，從技術(shù)角度而言這可能是真的，雖然英特爾還沒(méi)有真正超過(guò)臺(tái)積電，不過(guò)三星的工藝是真的水。

三星曾多次宣布他們帶領(lǐng)臺(tái)積電推出了更先進(jìn)的工藝技術(shù)，但最終未能爭(zhēng)取到關(guān)鍵客戶。

對(duì)于代工行業(yè)來(lái)說(shuō)，比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手先一步推出更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)并不一定意味著商業(yè)上的成功。尤其是良率、廠商與供應(yīng)商的合作關(guān)系以及與客戶的共同技術(shù)開(kāi)發(fā)的作用在其中也發(fā)揮著相當(dāng)重要的作用。

在 10nm 節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)了每平方毫米 5300 萬(wàn)晶體管密度，而三星的晶體管密度為 5200 萬(wàn)個(gè)，但英特爾的 10nm 節(jié)點(diǎn)可達(dá) 1.06 億的晶體管密度，這甚至比臺(tái)積電和三星的 7nm 的 9700 萬(wàn)和 9500 萬(wàn)還要高。

眾所周知，哪怕英特爾技術(shù)指標(biāo)不虛臺(tái)積電，他最終也沒(méi)有贏得客戶的青睞，甚至在臺(tái)積電和三星實(shí)現(xiàn) 5nm 之時(shí)才真正量產(chǎn)出 10nm 的處理器。

當(dāng)然，對(duì)比工藝水準(zhǔn)只看晶體管密度肯定是片面的。而且目前英特爾的主要問(wèn)題是量產(chǎn)困難、客戶信任以及實(shí)際收益率，畢竟三星報(bào)價(jià)遠(yuǎn)低于業(yè)界水準(zhǔn)，性價(jià)比更高。

英特爾的 7nm 技術(shù)（預(yù)計(jì) 2022 年底或 2023 年初）目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)每平方毫米接近 1.8 億個(gè)晶體管的高標(biāo)準(zhǔn)，但這只是一個(gè)基準(zhǔn)，目前看來(lái)并不具有商業(yè)可行性。

而臺(tái)積電似乎在技術(shù)上領(lǐng)先三星越來(lái)越遠(yuǎn)，其 5nm 工藝實(shí)現(xiàn)了 1.73 億個(gè)晶體管的密度，這與英特爾 7nm 的 1.7 億目標(biāo)相當(dāng)，且超過(guò)了三星 3nm 的 1.7 億的密度自夸。

3nm 太遙遠(yuǎn)，此處不再提及，Digitimes 繪制了如下對(duì)比圖，各位小伙伴可權(quán)作參考：

值得一提的是，臺(tái)積電也是第一家將 EUV 設(shè)備大量裝機(jī)生產(chǎn)的企業(yè)。據(jù)稱，在全球生產(chǎn)的 EUV 設(shè)備中，有一半以上被臺(tái)積電拿下，而臺(tái)積電也正藉此生產(chǎn)著全球 70% 以上的芯片，使其牢牢占據(jù)著 55% 的代工市場(chǎng)份額，并吃下了超過(guò) 80% 的全球代工收入。