808nm高功率半導體激光器芯片取得顯著進展

西安立芯光電科技有限公司（以下簡稱“立芯光電”）研發(fā)團隊經(jīng)過持續(xù)地技術攻關，在808nm高功率半導體激光器芯片上取得顯著進展。

808nm半導體激光器作為理想的、高效率的固體激光器泵浦源，在先進制造、機械加工、醫(yī)療美容、激光顯示、科研與航空航天等領域發(fā)揮著重要作用。隨著市場對高效能激光解決方案的需求不斷上升，高功率、高效率的激光芯片已成為推動行業(yè)發(fā)展的關鍵因素。公司研發(fā)團隊通過對結構升級及外延技術優(yōu)化，提高了808nm高功率半導體激光器芯片的斜率效率、高溫特性及輸出功率等性能；通過優(yōu)化腔面鍍膜技術，芯片腔面的損傷閾值COMD得到提高，從而使芯片的可靠性得到大幅提升。

測試結果表明，立芯光電封裝的高功率808nm COS激光芯片，在QCW 86A下，輸出功率高達81W，最大光電轉換效率（PCE）達到57%，這體現(xiàn)出該產(chǎn)品具有優(yōu)良的高溫特性，高損傷閾值和高可靠性。

這一創(chuàng)新成果的實現(xiàn)，凸顯了立芯光電在高功率半導體激光器芯片領域的深厚技術積累和卓越的創(chuàng)新實力。它不僅增強了公司在國內市場的競爭地位，而且促進了采用此類高功率激光芯片作為泵浦源的固體激光器技術的進步。