內(nèi)存市場將迎來“超級周期”，產(chǎn)業(yè)資本的饕餮盛宴

根據(jù)摩根士丹利的最新報告，全球內(nèi)存市場在2025年將迎來一次前所未有的供需失衡，這一現(xiàn)象主要由人工智能技術(shù)的快速發(fā)展和過去兩年內(nèi)存行業(yè)資本支出不足所驅(qū)動。

報告預(yù)計，2025年HBM（高帶寬內(nèi)存）的供應(yīng)不足率將達(dá)到-11%，而整個DRAM市場的供應(yīng)不足率將高達(dá)-23%，特別是HBM的需求量預(yù)計將大幅增加，可能占總DRAM供應(yīng)的30%。

這一供需失衡的情況預(yù)示著內(nèi)存價格的顯著上漲，報告中指出，商品存儲產(chǎn)品的價格在2024年將以每季度兩位數(shù)的速度上漲，而2025年HBM的價格將更高，服務(wù)器DRAM和超高密度QLC固態(tài)硬盤將引領(lǐng)這一價格上漲趨勢。

內(nèi)存市場的這一“超級周期”將為行業(yè)內(nèi)的戰(zhàn)略地位公司如SK海力士和三星帶來市場份額的進(jìn)一步增長。

摩根士丹利已將這兩家公司的2024-2025年的每股收益預(yù)測提高了24%-82%，較最新的預(yù)期共識高出51%-54%。

SK海力士預(yù)計將在2025年占據(jù)HBM市場的最大份額，其股票目標(biāo)價被提高11%至30萬韓元，而三星電子的目標(biāo)價被提高至10.5萬韓元。

內(nèi)存市場的這一輪超級周期與以往有所不同，由于當(dāng)前周期中行業(yè)的資本支出遠(yuǎn)低于維持產(chǎn)能所需的水平，自2022年第三季度以來產(chǎn)能一直在下降。

這種投資的缺乏正發(fā)生在內(nèi)存供應(yīng)鏈迅速轉(zhuǎn)移到HBM之際，HBM的生產(chǎn)每比特所需的晶圓容量是普通DRAM的兩倍，其生產(chǎn)良率也較低，進(jìn)一步加劇了供需失衡的情況。

三大內(nèi)存廠加緊布局HBM

SK海力士公布了HBM發(fā)展路線圖，該公司副總裁Kim Chun-hwan透露，計劃在2024上半年量產(chǎn)HBM3e，并向客戶交付8層堆疊樣品，在6層堆棧HBM3e配置中，每層堆?？商峁?.2 TB/s的通信帶寬，8層堆疊將進(jìn)一步提升HBM內(nèi)存的帶寬。

Kim Chun-hwan表示，在不斷升級的客戶期望的推動下，存儲行業(yè)正在面臨激烈的生存競爭。隨著制程工藝節(jié)點的縮小接近極限，存儲器廠商越來越關(guān)注新一代存儲架構(gòu)和工藝，以給客戶應(yīng)用系統(tǒng)提供更高的性能。為此，SK海力士已經(jīng)啟動了HBM4的開發(fā)，計劃于2025年提供樣品，并于次年量產(chǎn)。

根據(jù)美光提供的信息，與前幾代HBM相比，HBM4每層堆棧的理論峰值帶寬將超過1.5 TB/s。為了實現(xiàn)這樣的帶寬，在保持合理功耗的同時，HBM4的目標(biāo)是實現(xiàn)大約6GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。

三星也有發(fā)展HBM4的時間表，計劃于2025年提供樣品，并于2026年量產(chǎn)。據(jù)三星高管Jaejune Kim透露，該公司HBM產(chǎn)量的一半以上是定制化產(chǎn)品，未來，定制HBM方案的市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。通過邏輯集成，量身定制的HBM對于滿足客戶個性化需求至關(guān)重要。

三星和SK海力士之間的競爭正在升溫。

一些市場觀察人士表示，三星在HBM芯片開發(fā)方面落后于SK海力士，為了在新接口標(biāo)準(zhǔn)CXL開發(fā)中占據(jù)優(yōu)勢地位，三星加快了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品布局。

SK海力士表示，計劃加大對高帶寬內(nèi)存和DDR5芯片的投資，以適應(yīng)人工智能市場的增長需求。“與2023年相比，2024年的資本支出將有所增加?！覀儗⒆畲笙薅鹊靥嵘Y金利用效率”，SK海力士副總裁兼首席財務(wù)官金宇賢表示：“在2023年投資金額的范圍內(nèi)，我們根據(jù)產(chǎn)品優(yōu)先順序調(diào)整了資本支出，2024年，我們將更多地關(guān)注轉(zhuǎn)換制程工藝，而不只是增加產(chǎn)能?！?/span>

金宇賢表示，SK海力士將努力擴(kuò)大第四代和第五代10nm級制程內(nèi)存芯片的比例，到2024年底，這些新品將占據(jù)該公司DRAM產(chǎn)量的一半以上。不過，他表示，要達(dá)到2022年第四季度的產(chǎn)能水平，還需要相當(dāng)長時間。

SK海力士對引領(lǐng)HBM市場充滿信心，預(yù)測未來5年的年均增長率將達(dá)到60%~80%。該公司DRAM營銷主管Park Myung-soo表示：“我們2024年的HBM3和HBM3e芯片產(chǎn)能已經(jīng)售罄。根據(jù)客戶和市場觀察人士的說法，我們的HBM3產(chǎn)能份額非常高?！?/span>

據(jù)TrendForce統(tǒng)計，2023年第三季度，SK海力士擠下三星電子，成為全球最大的服務(wù)器DRAM廠商。報告顯示，2023年第三季度，SK海力士服務(wù)器DRAM銷售額達(dá)到18.5億美元，拿下49.6%的市場份額，穩(wěn)居全球龍頭寶座，排名第二的三星電子，在該季度的服務(wù)器DRAM銷售額為13.13億美元，市占率為35.2%，同期內(nèi)，美光的服務(wù)器DRAM銷售額為5.6億美元，市占率為15.0%，排名第三。

需要指出是，以上統(tǒng)計數(shù)字僅是傳統(tǒng)服務(wù)器搭載的DDR5內(nèi)存，不包括用于AI服務(wù)器的HBM，若將HBM銷售計算在內(nèi)，SK海力士領(lǐng)先三星電子的幅度會更大。

就整體DRAM模塊市場而言，三星電子仍穩(wěn)居DRAM霸主地位，但SK海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率為21.5%。

排名內(nèi)存行業(yè)第三位的美光也在加緊布局AI服務(wù)器市場，該公司計劃在2024年第一季度量產(chǎn)HBM3e，以搶攻英偉達(dá)的超級計算機DGX GH200商機。美光技術(shù)開發(fā)事業(yè)部資深副總裁Naga Chandrasekaran表示，采用EUV技術(shù)量產(chǎn)的1-gamma制程產(chǎn)品，正在研發(fā)過程中，預(yù)計于2025年量產(chǎn)。

業(yè)界人士指出，在HBM產(chǎn)品開發(fā)方面，雖然美光落后三星和SK海力士近一年時間，但在新一代HBM3e產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)進(jìn)度方面，該公司加快了節(jié)奏，有望在HBM競賽中扳回一城。