中國芯當前目標：不去強求3nm，而是把7nm做到3nm性能

目前，全球芯片制造技術(shù)最強的，應(yīng)該是臺積電和三星了，已經(jīng)實現(xiàn)了3nm。預(yù)計在2025年，也就是明年，這兩家廠商會實現(xiàn)2nm。

不過英特爾也表示，他要在2024年，也就是今年實現(xiàn)2nm，那至于是不是真的，這就不清楚了。

而我們國內(nèi)的芯片制造水平又是多少呢？之前中芯國際官方公布是14nm，后來就不再對外公開自己的工藝了。

不過大家也清楚，去年華為mate60系列手機上使用的麒麟9000S，以及今年P(guān)ura70上使用的麒麟9010，明顯不是14nm工藝，比這個更先進。

但是肯定比臺積電、三星的3nm要落后2代或以上，于是很多人認為接下來中國芯的目標，主要是在工藝上抓緊突破，早日實現(xiàn)3nm甚至2nm的水平，追上甚至超過臺積電、三星、英特爾這三大巨頭。

當然這種想法是很好的，方向也是很正確的，但是考慮到我們當前的技術(shù)實情，以及產(chǎn)業(yè)鏈情況，這個目標卻不是主要的。

我認為當前中國芯的主要目標，不是去強上3nm工藝，而是利用現(xiàn)有的7nm工藝，去實現(xiàn)3nm甚至2nm性能、水準等，這才是主要目標。

很多人看到這里估計要吐槽了，用7nm芯片，怎么去實現(xiàn)3nm甚至2nm的性能水準呢？既然7nm這么厲害，那還要3nm、2nm干什么？

先別急著下結(jié)論，麒麟9000S、麒麟9010是等效7nm工藝的，但它是不是能夠媲美高通5nm的芯片驍龍888、驍龍888+，這不是最好的例子么？

用7nm芯片工藝，實現(xiàn)現(xiàn)有的3nm\2nm的水平，并不是天方夜譚，方式并且都有好多種的。

第一種是用新的材料，比如碳化硅，碳基等，改用新的材料，性能能夠天翻天覆，之前科學家研究過，如果用碳基芯片，40nm就能達到7nm的性能水平。

另外就是在架構(gòu)、設(shè)計上下功夫，比如華為董事張平安，前幾天就表示稱，我們得不到5nm、3nm，搞定7nm就很好了，我們的創(chuàng)新方向不能在單點的芯片工藝上，我們的創(chuàng)新方向應(yīng)該在系統(tǒng)架構(gòu)上。

他其實已經(jīng)給大家提出了想法，那就是大家不要總想著突破5nm、3nm，全面搞定7nm，在7nm工藝上去創(chuàng)新才是當前符合我們芯片技術(shù)實力的。

而這個創(chuàng)新，就是指材料、設(shè)計、架構(gòu)，甚至封裝方式等，比如用小芯片（Chiplet）的技術(shù)，進行芯片堆疊等。

事實上，我們都清楚，在7nm工藝時，不需要用到EUV光刻機，用浸潤式DUV光刻機也能夠制造出來，但進入到5nm時，就需要用到EUV光刻機了。

而目前我們買不到EUV光刻機，所以必須突破這個才行，而EUV光刻機的突破，可不是短時間之內(nèi)就可以搞定的，所以我們就只有先在7nm工藝上，用架構(gòu)、設(shè)計等來改進，讓其達到3nm、2nm的水平，也一樣能滿足我們的需求了。

目前真正用到3nm工藝的芯片，主要是GPU、GPU、Soc，但這些也并不是非得3nm，事實上，只要性能好了，功耗低了，7nm也一樣可以的。