基辛格揚(yáng)言讓中國(guó)芯片技術(shù)落后10年,話音未落,中國(guó)芯連連打臉
Intel的CEO基辛格揚(yáng)言,在美國(guó)與日荷聯(lián)盟的管制下,中國(guó)芯片工藝將至少比美國(guó)落后10年時(shí)間,不過在他說話不久,中國(guó)就連連公布重要芯片技術(shù),狠狠打臉,說明他們的圖謀很難成為現(xiàn)實(shí)。
首先是中國(guó)一家科技企業(yè)公布了新款的芯片9010,上一代芯片9000S已被證實(shí)達(dá)到7納米的水平,9010芯片的性能得以進(jìn)一步提升,業(yè)界人士認(rèn)為這可能已接近5納米工藝,凸顯出中國(guó)芯片仍然在突破,芯片設(shè)備并未能完全阻止中國(guó)芯片工藝的發(fā)展。
對(duì)此浸潤(rùn)式光刻機(jī)之父林本堅(jiān)就表示,中國(guó)芯片完全可以以現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)5納米工藝,只不過如此做可能導(dǎo)致成本過高,也證明了中國(guó)只要下功夫完全可以用DUV光刻機(jī)生產(chǎn)5納米工藝。
這是對(duì)現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)進(jìn)行升級(jí),跟隨的是美國(guó)主導(dǎo)的硅基芯片技術(shù)路線,這條路線目前確實(shí)受到美國(guó)的影響,不過顯然中國(guó)芯片和美國(guó)芯片的工藝技術(shù)并未有10年那么大,兩者之間只是隔了3納米、5納米兩代技術(shù)而已,臺(tái)積電在2018年量產(chǎn)7納米,至今僅相隔6年,而如果國(guó)產(chǎn)芯片真的接近5納米水平,那就只有3年差距而已。
值得注意的是美國(guó)的芯片工藝其實(shí)落后于臺(tái)積電,Intel就量產(chǎn)7納米不久,即使Intel指它的7納米相當(dāng)于臺(tái)積電的5納米,與中國(guó)芯片的技術(shù)也不過是相差3年左右罷了,Intel試圖在明年量產(chǎn)2納米工藝,如此激進(jìn)地推進(jìn)技術(shù)升級(jí),不知能否成功,畢竟它在7納米、10納米上都先后受挫而延遲數(shù)年量產(chǎn)呢。
如果說在傳統(tǒng)的硅基芯片方面,中國(guó)還只能跟隨美國(guó)的腳步,那么中國(guó)已開辟新的芯片技術(shù)路線,繞開美國(guó)主導(dǎo)的硅基芯片技術(shù),這將成為中國(guó)芯片彎道超車的機(jī)會(huì),進(jìn)而取得先進(jìn)芯片技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
中國(guó)和美國(guó)都在發(fā)展量子計(jì)算技術(shù),外媒認(rèn)為在這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)方面,中國(guó)已與美國(guó)處于同一起跑線,兩者沒有太大差距,甚至中國(guó)還有一些領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
中國(guó)在同時(shí)發(fā)展光量子、超導(dǎo)量子技術(shù),這都被認(rèn)為是量子技術(shù)的方向,日前中國(guó)的本源量子更宣布它的最新一代量子計(jì)算機(jī)本源悟空不僅完成了國(guó)內(nèi)3萬(wàn)多項(xiàng)計(jì)算任務(wù),還開放給全球科學(xué)家,至今已有30多個(gè)訪問得到批準(zhǔn),其中有相當(dāng)比例的申請(qǐng)要求來(lái)自美國(guó)科學(xué)家,相比之下美國(guó)則沒有開放量子計(jì)算。
這凸顯出中國(guó)對(duì)于自己的量子計(jì)算技術(shù)擁有充分的信心,敢于讓美國(guó)科學(xué)家來(lái)驗(yàn)證相關(guān)的技術(shù),量子芯片將成為中國(guó)實(shí)現(xiàn)芯片技術(shù)取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的機(jī)會(huì),而且中國(guó)已籌建了全球第一條量子芯片生產(chǎn)線,全數(shù)采用國(guó)產(chǎn)的設(shè)備,設(shè)備不再是中國(guó)量子芯片發(fā)展的卡脖子難題。
可以說Intel的CEO基辛格認(rèn)為美國(guó)可以一直阻止中國(guó)發(fā)展先進(jìn)芯片技術(shù),甚至保持落后美國(guó)10年的狀況,完全是幻想,中國(guó)科技行業(yè)已多方布局,特別是量子芯片技術(shù)的發(fā)展將成為中國(guó)趕超美國(guó)的機(jī)會(huì),這正是美國(guó)所擔(dān)憂的。
