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三星產能緊張有望緩解,晶圓廠將運營

2021-04-19 來源:MoneyDJ
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全球半導體供給緊張,三星電子位于南韓平澤(Pyeongtaek)的第二工廠,最快會在今年6月上線,可望提供更多晶圓代工產能、并生產更多記憶體。

BusinessKorea 報導,三星平澤一廠(P1)于2017年6月量產,該公司隨后在2018年動工興建二廠(P2)。新廠已在去年下半使用極紫外光(EUV)微影技術,量產第三代10納米LPDDR5行動DRAM。

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今年下半,平澤二廠將啟用新的晶圓代工產線和次世代V- NAND flash產線。三星高層透露,平澤二廠的所有產線,將一如預期在2021年下半投產。業界內部人士透露:「據我所知,平澤二廠從2021年初開始,持續提高運作率」。

三星電子2020年5月新聞稿表示,平澤廠的新晶圓代工產線,以EUV為基礎的5納米產線為主,預定2021年下半全面啟用。新產線將協助三星擴大采用最先進的制程技術,用于5G、高效能運算(HPC)、人工智能(AI)等。

韓國時報2020年11月報導,三星電子預料景氣將復蘇,據傳要增加DRAM、NAND flash、晶圓代工產能,準備借此沖刺市占,擴大和競爭對手的差距。

美系資產組合經理人表示:「(增產理由是)2021年全年DRAM、NAND將嚴重短缺,帶動價格和獲利復蘇」。據了解三星DRAM的每月晶圓產能將增加3萬片、NAND增加6萬片、晶圓代工增加2萬片。

增加產能主要在三星南韓平澤(Pyeongtaek)工廠。NH Investment分析師Do Hyun-woo說:「三星會積極生產NAND記憶體,不過將對DRAM維持保守態度。由于晶圓代工芯片將短缺,2021年三星至少會對平澤廠和美國德州奧斯汀廠投資10兆韓圜」。該資產組合經理人透露:「一般認為三星不會大幅增加記憶體的晶圓產能,以免重蹈2018年覆轍,這次的上行循環中,(三星)增產作法將更理性。三星調整策略,可能是要趁數字變化、供給收緊時,搶下更大市占」。



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