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第2種繞過EUV光刻機,制造7nn芯片技術興起,英特爾已搞定18nm

2023-08-24 來源:只談數碼科技
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關鍵詞: 芯片 英特爾 中芯國際

目前的芯片制造流程,均是基于光刻流程,所以光刻機必不可少。


而按照光刻機的種類,目前可以分為EUV、DUV、KrF、G線/I線等。而DUV又分為浸潤式光刻機,干式光刻機。


其中EUV主要用于7nm以下工藝,浸潤式用于7-65nm,干式光刻機用于65-130nm,KrF用于130-350nm,而而G線/I線用于350nm+。



但EUV光刻機全球只有ASML一家能夠生產,所以可以說,全球的先進芯片產業,都被ASML卡住了脖子,只要ASML不賣EUV光刻機,沒有哪一家廠商能夠進入7nm工藝以下。


這當然是其它廠商不能忍的,所以其它的廠商,均想研發出新的技術,來替代EUV光刻機。


其中佳能是押注NIL納米壓印技術,就是像芯片的電路圖刻到一個章子上,再將這個章子蓋章一樣蓋到硅晶圓上,形成芯片。


不過目前這種技術,還處于早期階段,但佳能表示到2025年要進入5nm,讓大家繞開EUV光刻機,所以行不行,得看2025年。



而近日,另外一種技術又被眾多的廠商提及,特別是intel還表示有了一些突破,已經用這種技術,搞定了18nm工藝,接下來有望進入到5nm,繞開EUV光刻機。


這種技術是什么呢,叫做DSA自組裝技術,它并不是新東西,實際上10多年前就提出來了。原理就是利用一些化學藥品,腐蝕硅晶圓,讓硅晶圓在控制下,直接生成電路圖。


不過早期,因為這種方法缺陷太大,生產的圖案可控性不強,所以一直被大家忽視了,尤其當EUV技術出來之后,大家都選擇了EUV光刻,很少有廠商去研究DSA了。



但現在摩爾定律快要失效了,光刻技術似乎已經無法支撐摩爾定律的發展,所以像NIL、DSA技術,才再度興起,很多人覺得,利用NIL、DSA技術,或許可以給摩爾定律續命。


而英特爾通過研發,已經實現了一種DSA增強的EUV多圖案化方法,最終金屬間距為18nm,電氣性能穩健,于是DSA技術,似乎又被大家重視了起來。


當然,從18nm進入5nm,可能要很久,甚至永遠也進不了,但是很多企業還是表示有信心,覺得DSA肯定能夠搞定EUV搞定的事情,甚至還會做到更好。



所以未來,究竟是EUV技術牛,還是DSA技術好,或者NIL技術更強,只有用時間來證明了。


不過值得一提的,目前從DSA技術,或者NIL技術,以及EUV技術來看,中國都是處于相對落后的,這些技術的專利,主要還是掌握在國外廠商的手中,EUV技術是ASML,NIL技術是佳能,而DSA技術主要是美歐廠商,所以中國還得加油。



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