三星、SK 海力士正致力于研發(fā)降低內(nèi)存功耗技術(shù)，提升計算效率

2023-07-13 來源： IT之家

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7 月 13 日消息，隨著模型訓練類任務在當下愈發(fā)增多，HBM 和 DDR5 等內(nèi)存在高性能計算中的重要性日益增加，而內(nèi)存的功耗問題也愈發(fā)突出。

據(jù)外媒 Chosun Biz 報道，三星電子和 SK 海力士等內(nèi)存制造商正在與學術(shù)界展開合作，投資于下一代技術(shù)以降低功耗，以提升高性能計算下的效率。

經(jīng)過查詢得知，DRAM 目前占據(jù)基于英偉達 A100 的數(shù)據(jù)中心平臺總功耗的 40%，而隨著層數(shù)的增加，HBM 的功耗也會增加。

首爾國立大學此前推出了 DRAM Translation Layer 技術(shù)，聲稱可以將 DRAM 的功耗降低 31.6%，引來了三星的興趣。

▲ 圖源首爾國立大學論文

三星當下正在與首爾國立大學合作，以進一步降低內(nèi)存功耗，他們基于 Compute Express Link 技術(shù)，開發(fā)了采用 12 納米工藝的 16GB DDR5 DRAM，與上一代產(chǎn)品相比，功耗降低了 23%。

▲ 圖源 Compute Express Link 網(wǎng)站

SK 海力士則是推出了 LPDDR5X，將 High-K 金屬柵（HKMG）工藝應用于移動 DRAM。High-K 材料的介電常數(shù)比傳統(tǒng) SiON 絕緣膜高約五倍，可以在相同面積和厚度下存儲五倍的電荷，并幫助減少電流泄漏。通過控制泄漏電流，SK 海力士的 LPDDR5X 速度提高了 33%，功耗比上一代產(chǎn)品降低了 20% 以上。