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晶圓制造朝封裝產(chǎn)業(yè)“滲透”,未來也許不止3D、4D

2023-02-13 來源:網(wǎng)絡(luò)整理
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關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 晶圓 封裝

隨著半導(dǎo)體前端節(jié)點(diǎn)變得越來越小,設(shè)計(jì)成本快速增加。在這種情況下,先進(jìn)封裝及其 2.5D 和 3D 解決方案在降低與前端制造相關(guān)的成本影響方面變得至關(guān)重要且有效,同時還有助于提高系統(tǒng)性能并提供更低的延遲、更高的帶寬和電源效率。


根據(jù) Yole 的定義,如果一個die能在每平方毫米內(nèi)能集成超過16個pitch小于130μm的I/O。如超高密度 (UHD) 扇出、嵌入式硅橋、硅中介層、3D 堆棧存儲器(例如 3D NAND)、高帶寬存儲器(HBM)和 3D 堆棧 DRAM 就是滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的一些封裝平臺。

另一個值得考慮的平臺是 3DSoC,它采用芯片到晶圓 (D2W:die-to-wafer) 的混合鍵合。嵌入式硅橋(embedded Si bridges)有兩種可能的選擇:第一種,稱為 EMIB,由 Intel 提出并嵌入IC基板中;第二種是嵌入模制化合物(mold compound)中的硅中介層,由 TSMC (LSI) 和 SPIL (FOEB) 提供。



具體到硅中介層( Si interposers)方面,則有兩種產(chǎn)品:一種是傳統(tǒng)的或非有源的,通常由 TSMC、三星和 UMC 提供;另一種是有源的,即英特爾的 Foveros。把EMIB 與 Foveros 結(jié)合則產(chǎn)生了 Co-EMIB,這個技術(shù)被應(yīng)用到了英特爾的 Ponte Vecchio處理器上。三星、SK海力士和美光則提供了3D 堆疊 DRAM 和 HBM 內(nèi)存。

此外,Sony(自2015年起)和OmniVision(自2022年起)這樣的CIS供應(yīng)商使用W2W混合鍵合生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器也是一種3D堆疊封裝平臺,但它們不是高端性能平臺,因?yàn)樗荒軡M足I/O方面密度和間距的要求 ,這代表著其與上述封裝有著相當(dāng)?shù)牟罹唷?/span>


前途無量的先進(jìn)封裝市場

與其他封裝平臺相比,高端性能封裝的單位數(shù)量很小,但由于其復(fù)雜性導(dǎo)致平均售價較高,因此它產(chǎn)生的收入比例更高。預(yù)計(jì)到 2027 年收入將超過145億美元,高于 2022 年的 26億美元,這就意味著其在2022到2027年間的CAGR為41%。

這種健康增長歸因于包括云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、人工智能、自動駕駛、個人計(jì)算和游戲在內(nèi)的高性能計(jì)算終端系統(tǒng)的增加。這些應(yīng)用都需要用更復(fù)雜的節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)更大、更復(fù)雜的芯片,這些節(jié)點(diǎn)會隨著成本的增加而擴(kuò)展。這些趨勢促使半導(dǎo)體行業(yè)制定具有高端封裝選項(xiàng)的系統(tǒng)級擴(kuò)展策略,而不僅僅是擴(kuò)展 FE 高級節(jié)點(diǎn)。

通過將大型單片 SoC 裸片拆分成更小的芯片并僅縮放最關(guān)鍵的電路組件,小芯片以及異構(gòu)集成是降低縮放成本的一種選擇。這只能通過使用具有高連接密度、高帶寬和良好功率效率的 2.5D 和 3D 集成技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。因此,由于研發(fā)和生產(chǎn)方面的重大進(jìn)步,微凸塊、硅通孔 (TSV)、銅柱和混合鍵合正在推動高端性能應(yīng)用中的 IO 密度和功能集成達(dá)到新高度。

3D SoC(包括die-to-wafer和die-to-die混合封裝)則被看作是10μm以下pitch技術(shù)的下一個突破點(diǎn)。作為前端封裝技術(shù),這使得高端系統(tǒng)級性能與3D DRAM的更密集的3D IC堆疊、異構(gòu)集成封裝和封裝分區(qū)SoC die成為可能。領(lǐng)先的供應(yīng)商,尤其是臺積電、三星和英特爾,都以此為目標(biāo),提供或計(jì)劃提供尖端的混合鍵合解決方案。這也許是半導(dǎo)體和封裝世界之間的真正接觸點(diǎn)。

先進(jìn)封裝正在向前端靠攏。證據(jù)在于代工廠和 IDM,因?yàn)樗鼈冋诔蔀槭袌錾献钕冗M(jìn)的2.5D 和 3D 封裝解決方案領(lǐng)導(dǎo)者。OSAT 正努力順應(yīng)這一趨勢,提供創(chuàng)新的先進(jìn)封裝解決方案,以幫助解決摩爾定律放緩帶來的前端挑戰(zhàn),但他們要打入混合鍵合市場將是極其困難的,因?yàn)樗麄內(nèi)狈η岸四芰捅匾馁Y源。

當(dāng)然,我們也必須承認(rèn),沒有事情是百分百的。




巨頭競逐先進(jìn)封裝

和芯片制造環(huán)節(jié)一樣,封裝測試領(lǐng)域壟斷性也較強(qiáng),從近五年市場份額排名來看,行業(yè)龍頭企業(yè)占據(jù)主要的份額,其中前三大OSAT廠商依然把控半壁江山,市占率合計(jì)超50%。

封裝測試環(huán)節(jié)中國企業(yè)表現(xiàn)可圈可點(diǎn),長電科技(600584.SH) 、通富微電和華天科技(002185.SZ) 占據(jù)全球前十大外包封測廠的三席。

根據(jù)芯思想研究院(ChipInsights)發(fā)布的2021年全球委外封測(OSAT)榜單,長電科技以預(yù)估309.5億元營收在全球前十大OSAT廠商中排名第三,中國大陸第一;通富微電排在第五,華天科技排在第六。

長電科技已經(jīng)布局先進(jìn)封裝多年,掌握包括系統(tǒng)級SIP技術(shù),高密度扇出型晶圓級技術(shù),倒裝技術(shù),2.5D/3D等并已實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模的生產(chǎn)。

2021年,長電科技先進(jìn)封裝(包括除打線與測試外的其它封裝形式)收入占比60%以上,傳統(tǒng)打線30%,剩余的為測試。2022年預(yù)期先進(jìn)封裝的占比進(jìn)一步提升。

在先進(jìn)封裝方面,通富微電與AMD密切合作,是AMD的重要封測代工廠,2021年先進(jìn)封裝營收占比達(dá)到70%。公司在Chiplet、WLP、SiP、Fanout、2.5D、3D堆疊等方面均有布局和儲備,已大規(guī)模生產(chǎn)Chiplet產(chǎn)品,在CPU、GPU、服務(wù)器領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)7nm產(chǎn)品已大規(guī)模量產(chǎn),5nm產(chǎn)品已完成研發(fā)即將量產(chǎn)。

當(dāng)前先進(jìn)封裝技術(shù)在整個封裝市場的占比正在逐步提升,根據(jù)Yole數(shù)據(jù),先進(jìn)封裝全球市場規(guī)模將會從2018年約276億美元增長至2024年約436億美元,在全球封裝市場的占比也從42.1%左右提升至49.7%左右;

2018-2024年全球先進(jìn)封裝市場的CAGR約8%,相比同期整體封裝市場(CAGR=5%)和傳統(tǒng)封裝市場,先進(jìn)封裝市場的增長更為顯著,將為全球封測市場貢獻(xiàn)主要增量。

在整個崛起的先進(jìn)封裝市場中,掌握主流先進(jìn)封裝技術(shù)的國內(nèi)企業(yè)將持續(xù)上收益,Chiplet模式也打開封裝企業(yè)業(yè)務(wù)拓展和想象空間。

不過市場需要注意的是,Chiplet方案依然有很多技術(shù)需要實(shí)踐,且并不能代替核心先進(jìn)制程,國內(nèi)外先進(jìn)制程差距仍需要時間和研發(fā)等去消化。




未來規(guī)模將趨于集中

根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2016-2021年全球先進(jìn)封裝市場CAGR達(dá)7.9%,2021年市場規(guī)模為321億美元,Yole預(yù)計(jì)在2027年達(dá)到572億美元的規(guī)模,對應(yīng)2021-2027年CAGR高達(dá)10.1%,高于傳統(tǒng)封裝市場增速。此外,Yole預(yù)計(jì)到2026年,先進(jìn)封裝市場將會追趕上傳統(tǒng)封裝的規(guī)模,占整體規(guī)模比例的50%,先進(jìn)封裝的市場應(yīng)用規(guī)模不斷擴(kuò)大。

從成長幅度來看,3D堆疊/嵌入式封裝/晶圓級扇出型為發(fā)展最快速的前三大應(yīng)用市場,Yole預(yù)測2019-2025的CAGR分別為21.3%/18%/16%,此外TSV作為2.5D/3D立體封裝會大量使用到的互連技術(shù),Yole預(yù)測2019-2025的CAGR為29%,增長幅度大幅領(lǐng)先其他技術(shù)。

由于廠商需要長期的大額資本開支,全球委外封裝業(yè)務(wù)(OSAT)有較為集中的特性。在行業(yè)龍頭割據(jù)下,封測產(chǎn)業(yè)從地理位置上也呈現(xiàn)高度集中的態(tài)勢,2020年中國臺灣、中國大陸、美國市占率分別為52%/21%/15%,合計(jì)占據(jù)88%的市場份額。

2021年,全球前十大委外封測廠(OSAT)分別為日月光(含矽品)、安靠科技、長電科技、力成科技、通富微電、華天科技、智路封測、京元電子、南茂、頎邦,前八大廠商合計(jì)占據(jù)全球77.5%的市場份額。

從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看,日月光、長電科技更多的是高端數(shù)字IC的封測,包含手機(jī)芯片/處理器/CPU/射頻芯片等,安靠則多是汽車電子/射頻等產(chǎn)品封裝測試,三家企業(yè)為全球前三大封測廠,也是先進(jìn)封裝發(fā)展最為突出的封測廠。

通富微電主力營收大多來自CPU/GPU/服務(wù)器和網(wǎng)通設(shè)備相關(guān)封裝測試,而力成科技則是更多都來自全球存儲器巨頭的存儲器封測訂單,華天科技則是以功率、射頻封裝、CIS為主,各封裝廠均有自己主要的封測領(lǐng)域。

值得一提的是,除了傳統(tǒng)委外封測代工廠(OSAT)外,晶圓代工廠以及IDM公司也都相繼成立自己的封裝廠,開發(fā)高端的封裝技術(shù),包括臺積電、英特爾、三星等企業(yè)都已展開布局多年。中信證券徐濤8月9日研報中表示,在后摩爾時代,封裝行業(yè)變成兵家必爭之地,未來將會演變成晶圓制造廠有自己從制造到封裝的一體化工藝程序,而OSAT則是強(qiáng)者恒強(qiáng),有望更加集中。



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