美國(guó)的目標(biāo)：鎖死中國(guó)14nm芯片，18nm內(nèi)存，128層存儲(chǔ)

眾所周知，隨著中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，美國(guó)也是越來(lái)越緊張。

因?yàn)橹袊?guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，去年進(jìn)口的芯片金額超過4000億美元，這個(gè)規(guī)模差不多是全球芯片中的三分之二（全球芯片規(guī)模才6000億美元左右），都要跑到中國(guó)來(lái)轉(zhuǎn)一圈了。

這些芯片，有些消耗在了中國(guó)市場(chǎng)，有些是在中國(guó)制作成各種電子產(chǎn)品，再賣到全世界。

一旦中國(guó)實(shí)現(xiàn)了芯片自給，那么進(jìn)口會(huì)大大減少，這嚴(yán)重不符合美國(guó)的利益。一方面是因?yàn)槊绹?guó)的芯片占全球50%左右的份額，一旦中國(guó)自給率提高了，美國(guó)的芯片賣給誰(shuí)？這是直接經(jīng)濟(jì)損失。

另外一方面則更重要，因?yàn)槊绹?guó)靠芯片產(chǎn)業(yè)，牢牢的控制著全球的科技生產(chǎn)力，一旦中國(guó)不需要美國(guó)的芯片了，美國(guó)就無(wú)法拿芯片來(lái)控制（要挾）中國(guó)市場(chǎng)了，進(jìn)而無(wú)法控制全球市場(chǎng)了，這背后的政治利益，比經(jīng)濟(jì)利益更要命。

所以美國(guó)這幾年不斷的升級(jí)芯片禁令，特別是今年，密集出臺(tái)了各種新規(guī)來(lái)針對(duì)中國(guó)芯。

目前，美國(guó)已經(jīng)將EDA工具、先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備等其具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的技術(shù)領(lǐng)域作為限制中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵“武器”。

從禁令的具體內(nèi)容來(lái)看，美國(guó)的目標(biāo)非常明顯，從三個(gè)方面來(lái)鎖死中國(guó)芯片的發(fā)展，一是鎖死了16/14nm以下先進(jìn)邏輯制程。

二是鎖死128層及以上3D NAND的制造。三是鎖死18nm及以下DRAM的發(fā)展。通過這三個(gè)方向的針對(duì)，希望中國(guó)的芯片能力，只停留在成熟（落后）階段，不允許中國(guó)有先進(jìn)的技術(shù)，這樣中國(guó)就得一直依賴美國(guó)的芯片，受美國(guó)控制。

在這樣的情況下，我們應(yīng)該辦？

一是我們不得不轉(zhuǎn)向那些對(duì)于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝和EDA工具不強(qiáng)敏感的芯片研發(fā)技術(shù)，聚焦提升成熟工藝的PPA，發(fā)展新材料等。

二是先把成熟工藝的邏輯芯片、DRAM、NAND等產(chǎn)能提升上來(lái)，先滿足國(guó)內(nèi)巨大的需求，也能減少對(duì)國(guó)外的依賴。

三是努力的發(fā)展產(chǎn)業(yè)鏈，將EDA、半導(dǎo)體設(shè)備等工藝也提升上來(lái)，然后全方面的擺脫對(duì)國(guó)外先進(jìn)EDA工具、半導(dǎo)體設(shè)備的依賴，最后實(shí)現(xiàn)一勞永逸。

四是發(fā)展Chiplet等先進(jìn)封裝技術(shù)，在工藝無(wú)法提升的基礎(chǔ)上，想辦法提升性能，減少與國(guó)外先進(jìn)芯片的差距。

另外值得一提的是，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了232層堆疊的3D NAND閃存，還是全球首發(fā)，但后續(xù)在先進(jìn)設(shè)備支持上，可能也會(huì)受到限制，進(jìn)而影響產(chǎn)能。

但不管怎么樣，既然禁令已經(jīng)打過來(lái)了，我們也不得不全力應(yīng)對(duì)，也許過程很困難，道路也會(huì)非常曲折，但依托中國(guó)的龐大市場(chǎng)，一定會(huì)有一批批的極具創(chuàng)新性的產(chǎn)品和解決方案將面世，從而打破封鎖，繞開禁令，最終有效緩解國(guó)外對(duì)我們實(shí)施的禁運(yùn)并打破遏制。