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臺積電慘了,蘋果A17仍計劃采用4nm,3nm徹底打水漂了

2022-11-15 來源:網絡整理
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關鍵詞: 蘋果 臺積電 硅芯片 光刻機

業界傳聞指蘋果明年的A17處理器將仍然采用4nm工藝,原因是3nm工藝在功耗方面很難解決,為了確保處理器的可靠性,唯有繼續采用已經驗證可靠的4nm,這對于臺積電來說無疑是重大打擊,可以說臺積電的3nm工藝徹底打水漂了。

在過往,蘋果和臺積電可以說是共同進步,蘋果研發更先進的處理器架構,臺積電則提供更先進的工藝,由此不斷提升處理器的性能,然而隨著先進工藝逐漸逼近硅基芯片的物理極限,先進工藝的研發難度越來越大。

業內人士指出其實當前的工藝發展到4nm就已經面臨功耗問題了,由于達到4nm后導致硅芯片中的溝導管的S和D的距離已非常短,如此柵極對電流的控制能力變差,產生短溝道效應,引發嚴重的電流泄露問題,進而引發芯片的發熱量加大、功耗增加,而3nm工藝只會更嚴重。

其實這個問題可能在今年臺積電試產A16處理器的時候就已經出現了,當時臺積電研發成功3nm工藝后曾為蘋果試產A16處理器,然而蘋果發現A16處理器并無法達到預期的性能和功耗,最終蘋果放棄了3nm,而采用了5nm工藝的改良工藝N4,證實了業界人士對先進工藝的擔憂。

蘋果的A16處理器雖然沒有采用更先進的3nm工藝,但是獲益于蘋果的核心架構升級,今年的A16處理器的性能仍然提升了15%,性能提升幅度比A15處理器高了一倍,顯示出蘋果在核心架構設計方面依然擁有領先優勢。

蘋果的A16處理器舍棄了3nm工藝后,臺媒又傳蘋果要求臺積電繼續改良3nm工藝,希望明年的N3E工藝能達到蘋果的要求,從而以N3E工藝生產蘋果的M3處理器,然而這一切都是傳言,尚未得到證實。

3nm工藝已成為臺積電和三星競爭的關鍵節點,臺積電的3nm工藝受挫,三星的3nm工藝其實也不樂觀。三星的3nm據說更先進,已引入了環繞柵極技術,業界人士指出環繞柵極技術可以解決功耗問題,然而三星的3nm工藝并未有正式的芯片推出市場,業界無法確認三星的3nm工藝是否真的解決了功耗問題。

如此一來或許證明即使是環繞柵極技術都無法推動先進工藝往3nm及更先進工藝發展;與此同時ASML則研發了更先進的第二代EUV光刻機,然而第二代EUV光刻機至少得等到2024年才能量產,這同樣阻礙著3nm及更先進工藝的進展。

影響蘋果等芯片企業采用更先進工藝的另一個因素則是成本問題,目前的3nm工藝無芯片企業采用,就在于它成本太高了,本來3nm工藝只有蘋果和Intel愿意采用,但是Intel借口它的GPU芯片研發延遲而舍棄3nm,蘋果的A16處理器則因3nm的性能和功耗不達標而舍棄,進一步改良后的3nm工藝很可能成本更高,而蘋果已發現進一步提高iPhone的售價行不通,為了降成本或許也是促使蘋果繼續采用4nm工藝的原因。

對于臺積電來說,蘋果如果不用3nm那將是沉重的打擊,因為除了蘋果已沒幾個企業可以用得起昂貴的3nm工藝了,如果蘋果不用那就意味著沒有企業會采用,臺積電的3nm工藝徹底打水漂。



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