捷捷微電：南通項目一期計劃今年第三季度開始試生產(chǎn)

4月27日，捷捷微電在投資者互動平臺表示，公司南通“高端功率半導體器件產(chǎn)業(yè)化項目”建設(shè)用地位于南通市蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)，是配套無錫和上海MOSFET團隊，目前項目（一期）正在基礎(chǔ)設(shè)施及配套等建設(shè)的最后階段，計劃今年第三季度開始試生產(chǎn)。該項目將有助于推動高端功率半導體發(fā)展，滿足下游市場需求，擴大市場占有率，緩解MOSFET產(chǎn)能緊張的問題等。

據(jù)了解，捷捷微電主營產(chǎn)品為各類電力電子器件和芯片，分別為：晶閘管器件和芯片、防護類器件和芯片（包括：TVS、放電管、ESD、集成放電管、貼片Y電容、壓敏電阻等）、二極管器件和芯片（包括：整流二極管、快恢復二極管、肖特基二極管等）、厚膜組件、晶體管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、碳化硅器件等。