龍頭上市！國產半導體設備，從何突圍？

2022-04-21 來源：華強電子網

7091

今天（4月20日），拓荊科技正式登陸科創板。拓荊科技主要從事高端半導體專用設備的研發、生產、銷售和技術服務。

根據拓荊科技最新發布的上市公告書，本次上市，拓荊科技募資總額高達22.73億元，扣除發行費用后，募集資金凈額為21.28億元，全部用于先進半導體設備的技術研發與改進項目、高端半導體設備擴產項目、ALD設備研發與產業化項目和補充流動資金。

市場廣闊，從何突圍？

編者還記得，去年7月，拓荊科技申報科創板IPO獲受理。截至今天拓荊科技上市，共歷時9個月。而登陸科創板，對于拓荊科技的發展進程來說，無疑是重要的里程碑。

實際上，拓荊科技2010年成立后，2011年其首臺12英寸PECVD設備就出廠到中芯國際進行驗證。2013年，拓荊科技的PECVD設備PF-300T通過中芯國際產品線測試，并于次年收獲中芯國際首個量產機臺PF-300T的訂單。

不難發現，拓荊科技聚焦的半導體薄膜沉積設備與光刻機、刻蝕機共同構成芯片制造三大主設備。其主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個產品系列，已廣泛應用于國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產線，并已展開10nm及以下制程產品驗證測試。

來源：拓荊科技官網

從技術上來說，在晶圓制造過程中，薄膜起到產生導電層或絕緣層、阻擋污染物和雜質滲透、提高吸光率、臨時阻擋刻蝕等重要作用。隨著集成電路的持續發展，晶圓制造工藝不斷走向精密化，芯片結構的復雜度也不斷提高，需要在更微小的線寬上制造，制造商要求制備的薄膜品種隨之增加，最終用戶對薄膜性能的要求也日益提高。

從全球半導體薄膜沉積設備市場來看，美國應用材料（AMAT）、美國泛林半導體（Lam Research）、日本東京電子、荷蘭先晶半導體（ASMI）等國際設備巨頭占據主導地位。

根據市場咨詢公司Gartner的數據，東京電子和ASMI分別占據了全球31%和29%的ALD設備市場；應用材料占據了85%的PVD設備市場；應用材料、泛林半導體和東京電子則分別以30%、21%和19%的市場份額，占據了七成的全球CVD設備市場。

全球ALD、CVD、PVD設備市場份額

雖然在國內市場，拓荊科技的核心技術已經達到國際水平，其產品可以與海外巨頭進行正面競爭，并拿下一定的市場份額。但也很顯然，相比這些國際半導體設備巨頭，拓荊科技在運營規模和企業認知度上存在競爭劣勢。

不過，慶幸的是，據Maximize Market Research預計，全球半導體薄膜沉積設備市場規模在2025年將從2020年的172億美元擴大至340億美元，保持年復合13.3%的增長速度。而長江存儲、上海華力、華虹無錫、上海積塔、中芯紹興、合肥晶合等中國本土晶圓廠正在加大設備采購力度，上述企業為拓荊科技客戶。

而大環境來看，中國已成為全球半導體產業市場規模最大的地區，約占全球35%的市場份額。根據SEMI統計，2020年中國大陸地區半導體設備銷售規模達187.2億美元，同比增長39%,首次超過中國臺灣地區成為全球第一大半導體設備市場。

總的來說，盡管拓荊科技所處的半導體領域，市場潛力巨大；雖然目前的半導體設備領域基本被國際巨頭壟斷，這也給國產化替代帶來了巨大的發展空間，但面臨強大對手的拓荊科技恐難突圍。

競爭力有待提升？警惕產能風險

編者從募資金額的使用情況來看，先進半導體設備的技術研發與改進項目被拓荊科技放到了重點位置。項目研發內容主要包括面向28nm-10nm制程PECVD設備的多種工藝型號開發、面向10nm以下制程PECVD設備的平臺架構研發及UVCure系統設備研發。

顯然，當中也意在通過在集成電路生產廠商進行生產線驗證，實現產品的產業化，進一步提升產品技術水平和拓展產品應用領域，推動業務規模的持續增長。

畢竟，半導體設備行業具有很高的技術壁壘、市場壁壘和客戶準入壁壘，這催促拓荊科技自成立以來，也需要堅持自主研發和創新，保持較高的研發投入。相比同行業可比公司，拓荊科技前些年毛利率低于可比公司平均值，但隨著其市場地位和議價能力的提升，能看到其毛利率有逐步提升的趨勢。

拓荊科技毛利率歷年對比（來源：招股書）

不過，鑒于拓荊科技是國內唯一一家產業化應用的集成電路PECVD設備廠商，和國內可比公司以及國際半導體設備巨頭的業務模式上存在一定差距。

關鍵的是，盡管，拓荊科技作為我國薄膜沉積設備龍頭，基本上代表了我國PECVD等產品的領先水平。但從相關財報也能看出，拓荊科技當前收入較為依賴PECVD設備，ALD、SACVD設備處于市場開拓階段，其它國際巨頭占據了絕大部分市場，其盈利有著不確定性。同時，拓荊科技核心技術人員以外來專家為主，在人才培養上或需要更大的投入。