熱搜：
深圳市增正科技有限公司
高新企業
聯系人：曾生
聯系電話：13928429281
聯系地址：深圳市福田區華強北街道華富路1006號航都大廈13E
SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E3D4HB-MFCJ 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝
價格：電微13928429281
SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E3D4HB-MHCJ 數據傳輸速度更快，而且能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E3S4HM-GFCL 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E3S4HM-GHCL 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4F6E3S4HM-GUCL 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4F8E3S4HB-MFCJ 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4F8E3S4HB-MHCJ 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4FBE3D4HM-GFCL 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4FBE3D4HM-GHCL 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4FBE3D4HM-GUCL 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HA-GFCL 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HA-GHCL 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝
