HXY120N03NF_DFN5x6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/120A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/4.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，提供高達(dá)120A的連續(xù)電流處理能力。專為高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)卓越的散熱性能與高效能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY120N03NF_DFN5x6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/120A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/4.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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