LESD8D3.3CAT5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/3.3V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/15.0pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 該DFN1006-2L封裝雙向ESD靜電防護(hù)二極管專為3.3V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備單通道強(qiáng)大保護(hù)功能。能有效應(yīng)對9A峰值瞬態(tài)電流，雙向抑制ESD沖擊，保障電路安全。其結(jié)電容低至15pF，特別適應(yīng)高速數(shù)據(jù)傳輸需求，提供卓越的信號完整性和高效ESD防護(hù)性能，是緊湊型電子設(shè)備的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

LESD8D3.3CAT5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/3.3V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/15.0pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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