HESDUC5VB1GF-A_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：15000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/4.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.35pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款DFN0603-2L封裝的雙向ESD靜電防護(hù)二極管，專為單通道應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有5V工作電壓耐受值VRWM，有效防止過電壓損害。器件能承受瞬態(tài)峰值電流IPP高達(dá)4A，并且擁有超低結(jié)電容CJ僅為0.35pF，確保在提供卓越ESD保護(hù)的同時(shí)保持高速信號(hào)線路的絕佳完整性，是小型化、高性能接口的理想防靜電組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HESDUC5VB1GF-A_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：15000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/4.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.35pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：15000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/4.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.35pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢