專業SAMSUNG/三星內存 KM2F8001CM-B707 256 GB UFS2.1 48 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

新一代 DRAM 解決方案的一個主要設計改進包括將 PMIC 集成到內存模塊中（前幾代產品是將 PMIC 放在主板上），可提高兼容性和信號完整性，并提供更可靠、更持久的性能。 為了提高性能效率和負載瞬時響應，三星面向 DDR5 模塊的新 PMIC 配備了高效混合動力門驅動程序和專有控制設計（異步雙相降壓控制方案）。 此方案允許直流電壓從高到低，對輸出負載電流的變化具有快速的瞬時響應，并相應地調整轉換，以在接近恒定的水平上有效地調節其輸出電壓。控制方案還具有脈沖寬度和脈沖頻率調制方法，防止切換模式時的延遲和故障。 “隨著能效的提高和低輸出波紋電壓的提高，新款 PMIC S2FPD01、S2FPD02 和 S2FPC01 允許數據中心、企業服務器和 PC 應用程序充分利用其 DDR5 性能，完成高要求、高內存密集型任務。”三星電子公司系統大規模集成電路市場副總裁 Harry Cho 說。

當今的數據中心和企業服務器必須實時執行繁重的分析、機器和深度學習以及其他各種計算任務，三星的兩款新 DDR5 DIMM PMIC 解決方案 S2FPD01 和 S2FPD02 為它們提供了優質性能。FPD01 專為低密度模塊設計；FPD02 則用于更高密度模塊。 此外，通過實施高效混合動力柵極驅動程序而非線性調節器，三星的新 PMIC 能夠以高達 91% 的能效運行。 S2FPC01 是三星的另一款新 PMIC，專為臺式機或筆記本電腦使用而定制。 PMIC 解決方案以 90 納米 (nm) 工藝節點設計，在更小的封裝中提供更靈活的性能。 三星的 DDR5 DIMM 電源管理 IC、S2FPD01、S2FPD02 和 S2sFPC01 目前正在進行客戶采樣。