Si2328DS-T1-GE3_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2328DS-T1-GE3 N溝道MOSFET，采用經(jīng)濟(jì)高效的SOT-23-3L封裝，專為要求嚴(yán)苛的電力應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具備強(qiáng)大性能，最高工作電壓VDSS達(dá)100V，連續(xù)電流承載能力高達(dá)5A，同時(shí)具有出色的100mR導(dǎo)通電阻，確保在高功率運(yùn)行下也能保持低能耗。此款MOS管廣泛應(yīng)用在電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域，是眾多工程師設(shè)計(jì)解決方案的首選組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2328DS-T1-GE3_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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