SIR462DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SIR462DP-T1-GE3 N溝道MOSFET采用先進的DFN5X6-8L封裝，集小巧尺寸與高效散熱于一身。該器件性能卓著，具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠處理高達50A的連續(xù)電流，其低至6.5mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了強大的功率轉(zhuǎn)換能力和節(jié)能效果。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動等大電流領(lǐng)域，是提高系統(tǒng)性能與節(jié)能方案的理想半導(dǎo)體元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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