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BSC057N08NS3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/85.0V 參數(shù)3:ID/100.0A 參數(shù)4:RDON/4.3mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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BSC057N08NS3G 是一款高性能N溝道MOSFET,采用先進的DFN5X6-8L封裝技術,專為高功率密度和低功耗應用設計。該器件能在85V的電壓VDSS下穩(wěn)定工作,同時支持高達100A的連續(xù)電流,展現(xiàn)出卓越的電力傳輸能力。其核心優(yōu)勢在于僅有4.3mR的超低導通電阻RD(on),最大限度地減少了能量損失,提升了整體能效。BSC057N08NS3G 廣泛適用于電源轉換、電動設備驅動、新能源系統(tǒng)等場景,是追求高效能與小型化的理想半導體解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
  • 聯(lián)系電話:13823583904
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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