SI7848BDP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SI7848BDP-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝。其擁有40V的額定漏源電壓VDSS和高達60A的連續漏極電流ID，展現出卓越的電力處理能力。導通電阻僅為6.9mΩ，有效降低功耗并提高系統能效，適用于各類高功率電子設備和電源管理應用，是您設計中的理想選擇。
