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SI7192DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/30.0V 參數3:ID/150.0A 參數4:RDON/2.0mR 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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SI7192DP-T1-GE3 是一款N溝道MOS管,采用小型DFN5X6-8L封裝,特別適合空間敏感和高性能電子設備應用。該器件支持30V的最大漏源電壓(VDSS),并能承載高達150A的連續漏極電流(ID),展現強大的電流處理能力。其亮點在于2mΩ的超低導通電阻(RD(on)),有效降低功耗,提高整體系統效率,廣泛應用于電源轉換、電機驅動、儲能系統等領域,是實現高效能、節能電路設計的理想半導體組件。



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