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AON6382_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/30.0V 參數3:ID/150.0A 參數4:RDON/2.0mR 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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AON6382 N溝道MOS管采用緊湊型DFN5X6-8L封裝,專為現代電子設備的小型化設計需求打造。該器件支持最大30V的漏源電壓,能夠承受高達150A的連續漏極電流,表現出卓越的電流處理能力。其突出特點是導通電阻僅2mΩ,有效降低功率損耗,提升系統能效,廣泛適用于電源轉換、電機驅動、開關電源等高功率應用場合,是實現高性能電路設計的理想半導體元件。



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