ISC026N03L5S_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

ISC026N03L5S N溝道MOS管采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，旨在優(yōu)化空間限制且高性能的應(yīng)用場景。器件支持高達(dá)30V的漏源電壓，并能處理連續(xù)150A的漏極電流，展現(xiàn)卓越的電流傳送能力。其引人注目的特性包括僅2mΩ的導(dǎo)通電阻，確保在高電流操作時(shí)仍保持低功耗和高效率。此MOS管廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他高功率需求的電路設(shè)計(jì)，是提升系統(tǒng)性能的關(guān)鍵組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

ISC026N03L5S_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢