BSC018NE2LSI_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

BSC018NE2LSI N溝道MOS管以業(yè)界領(lǐng)先的DFN5X6-8L封裝呈現(xiàn)，專為緊湊高效設(shè)計(jì)。該器件具有30V的擊穿電壓，提供高達(dá)150A的持續(xù)漏極電流，充分滿足大電流應(yīng)用需求。其亮點(diǎn)在于僅2mΩ的超低導(dǎo)通電阻，顯著減少功率損耗并提高整體效能，廣泛適用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等對(duì)效率及穩(wěn)定性有高要求的領(lǐng)域，是您的電路優(yōu)化升級(jí)之優(yōu)選元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

BSC018NE2LSI_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢