IRFH5302DPBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFH5302DPBF 型號N溝道MOS管，采用高效DFN5X6-8L封裝，具有卓越的散熱性能和緊湊體積，專為高密度電源管理和電機(jī)驅(qū)動設(shè)計。器件支持30V額定電壓VDSS，提供強(qiáng)大的150A連續(xù)電流ID，配合僅2mR的超低導(dǎo)通電阻，確保系統(tǒng)具備極高能效和低損耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電動車、電源、充電器及其他大電流開關(guān)領(lǐng)域，出廠前經(jīng)過嚴(yán)格質(zhì)量檢驗，確保在各種嚴(yán)苛條件下仍能保持穩(wěn)定可靠的性能輸出。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFH5302DPBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢