SI4925BDY-T1-E3_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P+P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI4925BDY-T1-E3 型號(hào)MOS管采用緊湊型SOP-8封裝，內(nèi)部集成高效PP溝道技術(shù)。器件支持30V的漏源電壓(VDSS)，能穩(wěn)定處理11A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用于各類中高電流應(yīng)用場(chǎng)合。其亮點(diǎn)在于僅14mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效提升能源利用率并降低功耗。該MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制以及各類高效率開關(guān)電路設(shè)計(jì)，是工程師優(yōu)化電路性能、實(shí)現(xiàn)節(jié)能目標(biāo)的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SI4925BDY-T1-E3_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P+P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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