IRF8313PBF_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.5A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRF8313PBF 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用小巧高效的SOP-8封裝，適合各類空間有限且對(duì)性能要求高的應(yīng)用場(chǎng)景。其關(guān)鍵特性包括VDSS耐壓值高達(dá)30V，可承載11.5A的強(qiáng)大連續(xù)漏極電流，確保卓越的電力處理能力。尤其值得一提的是，這款MOS管具備優(yōu)異的導(dǎo)通電阻性能，僅有10mR的RD(on)，大幅度降低了功耗并提升了系統(tǒng)能效。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRF8313PBF_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.5A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.5A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢