Si4288DY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si4288DY 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用經(jīng)濟(jì)實(shí)用的SOP-8封裝形式，專為現(xiàn)代高集成度電子設(shè)計(jì)打造。器件具有40V的額定電壓VDSS，可承載12A的連續(xù)電流ID，顯示出強(qiáng)大的電力處理能力。導(dǎo)通電阻RD(on)僅為16mΩ，有效降低系統(tǒng)功耗，提升整體能效表現(xiàn)。Si4288DY 適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制以及中等電流驅(qū)動等多個應(yīng)用場景，是您構(gòu)建高效節(jié)能電路的理想半導(dǎo)體器件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si4288DY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢