IRL6372PBF_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

IRL6372PBF 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用經(jīng)典SOP-8封裝形式，適用于廣泛的電路設(shè)計(jì)需求。器件特點(diǎn)在于30V的漏源電壓(VDSS)，能夠承載10A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且其低至14mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))有效保障了在高電流應(yīng)用下的低功耗與高效能。廣泛運(yùn)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等相關(guān)領(lǐng)域，是優(yōu)化系統(tǒng)性能的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRL6372PBF_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢