Si4178DY-T1-GE3_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si4178DY-T1-GE3 N溝道MOSFET采用SOP-8封裝形式，專為高效能、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定傳輸8.5A連續(xù)電流，其出色的導(dǎo)通電阻僅為14mΩ，確保在高負(fù)載條件下仍能保持高效率和低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景，憑借卓越的電流處理能力和優(yōu)異的電氣性能，為您的電路設(shè)計(jì)提供有力支持。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

Si4178DY-T1-GE3_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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