SI4800BDY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI4800BDY-T1-GE3 N溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，專為高效率電源管理和電機(jī)控制設(shè)計(jì)。該器件擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，能提供高達(dá)8.5A的連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻低至14mΩ，確保在大電流應(yīng)用環(huán)境下仍然保持卓越的性能和能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等場景，為您的電路設(shè)計(jì)帶來強(qiáng)大的電流處理能力和杰出的電氣性能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4800BDY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢