IRF7424TR_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRF7424TR 是一款P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件支持最大30V的漏源電壓(VDSS)，并能安全處理高達(dá)12A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)出強(qiáng)大的電流承載能力。其獨(dú)特的10mΩ超低導(dǎo)通電阻(RD(on))設(shè)計(jì)，有效提升了系統(tǒng)能效，降低了損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、大電流開關(guān)電路等領(lǐng)域，是高功率、高性能電子產(chǎn)品的重要組成部分。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRF7424TR_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢