FDS6673BZ_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDS6673BZ 是一款P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，專為高效能、低損耗的大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載高達(dá)18A的連續(xù)漏極電流，確保卓越的電力傳輸性能。其7.5mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))顯著提升了系統(tǒng)能效，降低了運(yùn)行損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源控制器等領(lǐng)域，是高要求電子設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDS6673BZ_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢