DMN3016LSS_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN3016LSS 型號(hào)MOS管，采用小巧的SOP-8封裝，適配現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間節(jié)省的需求。這款N溝道MOS管在30V的最大漏源電壓下穩(wěn)定運(yùn)行，提供強(qiáng)勁的15A連續(xù)電流承載能力。其核心技術(shù)亮點(diǎn)在于業(yè)界領(lǐng)先的7.5mR超低導(dǎo)通電阻，顯著提升電源效率并降低功耗，尤其適用于高效電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMN3016LSS_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢