IRLML2030PBF_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRLML2030PBF 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適用于各種緊湊型電子設(shè)計。該器件關(guān)鍵特性包括最高工作電壓VDSS為30V，可提供高達(dá)4A的連續(xù)漏極電流；其低至29mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)，確保在高電流應(yīng)用中依然保持較低的功率損耗與高效能表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等眾多場景，是您追求高集成度與節(jié)能方案的理想MOS管選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRLML2030PBF_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢