Si2316DS-T1-E3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2316DS-T1-E3 是一款采用先進(jìn)N溝道技術(shù)的MOS管，封裝小巧的SOT-23，尤其適合空間受限的設(shè)計(jì)需求。其電氣特性出色，具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承受4A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保了強(qiáng)大的電流處理性能。而29mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))使得器件在工作狀態(tài)下功耗更低，提升整體能效。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景，是高效、節(jié)能半導(dǎo)體解決方案的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

Si2316DS-T1-E3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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